技术
研究证明，掺杂离子的表面捕获可以抑制激发能量的淬灭，可以通过核壳结构来抑制。近日，中国昆明理工大学的邱建备教授和香港理工大学的 Yu Siu Fung教授（共同通讯作者）采用了湿化学退火工艺，从表面缺陷（即无序、空位和间隙缺陷）中恢复镧系掺杂的KLu2F7裸露核心的UCNPs。制备出的UCNPs只有几个原子层的均匀厚度，利用像差校正的高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF － STEM）在原子尺度上识别表面缺陷。通过热退火方法恢复UCNPs表面缺陷，提高了一个数量级以上的相应的上转换光致发光强度， 使其有很好的潜在应用前景。
图一、UCNPs的制备及TEM表征
（a）KLu2F7： 38％Yb3＋， 2％Er3＋ UCNPs的湿化学退火工艺原理图；
（b）合成UCNPs的TEM图；
（c）240 oC热退火合成UCNPs；
（d）（b）中的HRTEM图；
（e）FFT轮廓；
（f）随着增长的UCNPs尺寸分布图；
（g）（c）中的HRTEM图；
（h）FFT轮廓；
（i）后增长的退火UCNPs尺寸分布图。
图二、UCNPs的SEM表征
（a）KLu2F7： 38％Yb3＋， 2％Er3＋ UCNPs的HAADF－STEM图；
（b）240 oC热退火处理后KLu2F7： 38％Yb3＋， 2％Er3＋ UCNPs的HAADF－STEM图；
（c）（a）中的沿橙色向扫描记录的强度剖面；
（d）（b）中的沿绿色向扫描记录的强度剖面；
（e）（a）中的放大的晶体边缘结构图像；
（f）（b）中的放大的晶体边缘结构图像。
图三、UCNPs的转换衰减和能量传输机理
